牛策略 | 【大涨解读】内存：AI创新大周期+企业级需求爆发，又一存储细分大厂拟涨价30%，2026年行业供需缺口或将进一步扩大

一、行情

11月12日，存储板块再度逆势走强，时空科技、好上好、科翔股份（20CM）涨停，德明利、香农芯创等盘中大幅走高。

二、事件：存储大厂先后暴力提价+行业龙头公司业绩均超预期

1）据界面新闻11月12日报道，存储厂旺宏订单满手，将在明年第一季度调涨NOR Flash报价，涨幅上看三成；

2）闪存龙头闪迪11月大幅调涨NAND闪存合约价格，涨幅高达50%。导致创见、宜鼎国际与宇瞻科技等模组厂决定暂停出货并重新评估报价；

3）三星25Q3存储收入创历史新高，美光25Q3收入和毛利率均超指引，SK海力士25Q3收入和净利率均创历史新高，西部数据、闪迪等公司25Q3业绩超预期。

三、机构解读

1）存储芯片可分为易失性存储芯片（断电后数据丢失）和非易失性存储芯片（断电后数据不丢失）。其中，非易失性存储芯片包括Flash（闪存）和ROM（只读存储器）。闪存芯片又分NAND Flash和NOR Flash两种。NOR Flash容量较小，但可以直接在芯片内执行程序代码，通常存储开机软件程序。

NOR Flash是除DRAM 和 NAND Flash之外市场规模最大的存储芯片。随着智能手机、物联网、TWS耳机、5G及汽车电子等下游应用需求的增长，NOR Flash市场规模逐步增长。（海通证券）

2）近期存储价格全面上涨，除DDR4供给收缩逻辑以外，主要系数据中心建置动能回暖，且AI服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期，从而大幅提高存储需求。

展望25Q4，Trendforce预计DRAM涨幅预期可观，且25年10月由于供应商收到CSP厂商加单后明显提高调升报价的意愿，Trendforce上调25Q4 DRAM价格预测，一般型DRAM价格预估涨幅从8-13%上修至18-23%，并且很有可能再度上修。（华创证券）

4）AI时代下多模态应用、企业级存储等需求爆发，存储厂商技术创新加速，同时供给侧原厂扩产聚焦HBM等盈利能力强的高端产品，NANDFlash产能开出有限，并加速退出利基DRAM市场，因此存储行业整体供不应求，价格加速上涨。展望2026全年，行业供需缺口或将进一步扩大，行业上行周期有望延续。（招商证券）

5）DRAM除去HBM需求高景气外，其他类型产品的市场供需有望在存储原厂产能向高端产品倾斜而持续改善，涨价态势有望进一步延续，而NAND方面，由于NAND未有HBM等高盈利性产品，因此NAND原厂盈利压力相对更大，对于涨价需求更为迫切。（中国平安）

*免责声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议

*风险提示：股市有风险，入市需谨慎