2）市场与技术趋势：HDD、SSD、NAND、DRAM、HBM
①HDD：HDD即硬盘，主要通过提升面密度提升HDD容量，近期HAMR（热辅助磁记录）技术可以大幅提升单碟容量，市场格局呈现双寡头垄断，希捷科技、西部数据为主要参与者；
②SSD：SSD即固态硬盘，一种以NANDFlash为介质的存储设备，NAND堆叠层数持续增长，单元架构逐步从SLC转化为MLC、QLC，市场参与者主要为三星、海力士（包括Solidigm）、美光、闪迪、铠侠；
③DRAM：DRAM具备功耗小，集成度高，成本低等优势，逐步从DRAM迭代至SDRAM、DDR，目前头部厂商已经开始对DDR6研发，下游需求主要在手机、PC、服务器领域，主要参与者包括三星、海力士、美光；
④HBM：多层DRAM芯片堆叠，通过TSV实现垂直方向的互联，进而具有更高的存储密度和更大的带宽，目前主要应用于AI领域，主要参与者为海力士、美光、三星；
⑤NAND：存储单元表达的bit数持续增长，堆叠层数持续增长，下游需求主要为SSD和手机，主要参与者为三星、海力士、铠侠、美光、闪迪。
HBM、DDR5引领高端DRAM市场，其中HBM技术持续迭代，存储容量与带宽不断提升，主流AI加速卡多数采用HBM配置方案，有望推动HBM市场规模稳步增长；DDR5在企业级与数据中心客户的应用规模有望持续提升。NAND市场方面，QLCNAND技术逐步成熟，兼顾大容量、低功耗、高性能的QLCSSD成为企业级存储新星，渗透率有望提升。为应对AI算力旺盛需求，存储大厂调整产能规划至HBM等高端环节，减产或停供DDR4等传统产品，使相关产品价格大幅上扬。
3）存储市场集中度较高，国产存储技术突破有望提升出货量，产业链迎来发展机遇
全球存储市场集中度较高，竞争格局较为稳定，三星、SK海力士、美光等厂商稳居前列。国产DRAM龙头厂商长鑫存储已实现DDR5/LPDDR5X的技术突破与产品供应，出货量有望逐步攀升。国产NANDFlash龙头厂商长江存储已实现QLC、TLC等多款产品的技术突破。AI驱动、技术创新叠加供需格局变化，国内存储厂商、模组厂商有望充分受益于存储新一轮景气周期。此外，存储景气周期有望推动存储厂商提升资本开支，上游半导体设备有望受益。
AI浪潮持续推进，云厂商资本开支加速，服务器存储需求旺盛；同时AI+消费终端等应用加速渗透，端侧存储持续扩容，存储行业有望迎来以AI驱动的新一轮景气周期。
关注：
存储模组公司：德明利、江波龙、开普云、香农芯创、佰维存储、天山电子等。
长鑫链：兆易创新、晶合集成、汇成股份、深科技、拓荆科技、精智达、骄成超声、百傲化学等。
存储设计公司：普冉股份、聚辰股份、澜起科技、东芯股份、恒烁股份等。
研报来源：国信证券，熊莉，S0980519030002，计算机行业人工智能存储系列报告一：AI拉动需求增长，存储大周期方兴未艾。2025年12月09日
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