一、行情
9月19日，内存、闪存板块开盘集体走强。德明利一度涨停，江波龙、澜起科技涨超10%，聚辰股份、大为股份、万润科技、普冉股份等集体大涨。
二、事件：存储巨头携手掀起涨价潮+美股存储公司集体新高
1）当地时间9月18日，美股存储公司再度大涨，美光科技、闪迪涨超5%，西部数据超涨4%，均创历史新高。
2）9月18日，据行业媒体闪德资讯消息，三星预计在第四季度将DRAM类的LPDDR4X、LPDDR5/5X协议价格上调15%-30%以上，同时NAND类的eMMC/UFS协议价也预计有5%-10%的涨幅。
3）美光科技已通知客户，DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价，报价暂停时间一周，且相关产品价格或将调涨20%-30%。
9月初，闪迪宣布将存储产品价格上调超10%。国产NAND龙头长江存储预计也将在25年四季度跟进涨价。
4）台媒报道，台厂DDR4四季度产能预定已被抢完。
三、机构解读
1）供需失衡下DRAM市场在2025年下半年迎来全面涨价行情，NAND在部分应用市场尚未达到盈利水平，而原厂在持续投入产品、技术与设备的同时需兼顾投入产出比，因此NAND利润率的修复已迫在眉睫。
需求端AI推动存储全面升级、需求大幅提升，供应紧缺，进入涨价通道，未来原厂将产品优先供应对于涨价的接受度更高北美客户，国内供应受到挤占，看好国产存储厂商受益于周期（供需紧缺带来涨价）+成长（AI推动存储全面升级）+国产化浪潮。（国盛证券）
2）AI算力需求持续增长下，HBM出货动能强劲，全球DRAM市场规模将持续扩张，利好存储产业链。而随三大原厂DDR4停产进展，利基DRAM供给缺口持续存在，中国大陆存储原厂和利基存储设计公司有望持续受益。（东方证券）
3）根据渠道调研，消费SSD模块的256Gb TLC NAND晶圆价格较512Gb NAND晶圆价格的上涨幅度更大，主要原因在于原厂在严格控制产能的同时，将V6、V7 NAND Flash产线转作V8、V9，形成产能排挤效应，导致整个产能出现显著下滑，而下游在消费电子旺季拉货形成价格挤压。（第一上海）
4）高密度DRAM架构最具潜力的长期解决方案之一。头部DRAM厂商持续升级DRAM制程，但平面形式下进一步缩小制程已接近极限，3DDRAM应运而生。实现有限面积的高效利用，存储单元布局需突破传统水平排列模式，核心路径分为两类：一是将单元结构垂直化以压缩占用空间，二是借鉴建筑堆叠逻辑实现单元阵列的立体排布。4F2结构是单元垂直化的关键技术方案，三星正在开发的垂直通道晶体管（VCT）DRAM，以及SK海力士推进的垂直栅极（VG）DRAM，均以4F2为核心技术架构。（国盛证券）
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