据中证报报道,据市场机构闪存市场最新统计,在AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长,以及二季度存储原厂EOL(产品生命周期终止)通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下,2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元,创历史季度新高。
中证报指出,DRAM市场在AI、云计算等需求驱动下,长期增长确定性强,全球及中国市场2030年规模有望分别突破1.5万亿美元和 4150亿元人民币(中国整体市场)。HBM、DDR5渗透、3D架构创新将成为技术主线。国家产业扶持政策、税收优惠及补贴措施推动本土DRAM企业发展,供应链安全考量促使终端厂商采用“国产+国际”双源供应策略,为本土厂商提供机遇,有望逐步提升市场份额。
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