据DIGITIMES 8月5日消息，SK海力士在今年向英伟达供应其HBM4 12-Hi堆叠，价格较第五代HBM（HBM3E）高出约70%。
点评：在2025年7月24日的二季度业绩说明会上，SK海力士表示，HBM4有重大技术变革，包括为提高带宽而增加的IO计数、改进功效的新设计以及在基线中采用逻辑处理。公司正努力将成本的增加反映在HBM4的定价策略中，同时通过与客户建立最优定价来刺激AI市场来保持当前的盈利水平。
华金证券表示，目前HBM采用的凸点键合方式限制了颗粒间的垂直间距，使其难以缩短到40μm以下，这阻碍了HBM的内存容量和带宽的提升。
因此10μm节距以下将会采用混合键合技术。混合键合技术互连密度更高，节距更小，能效更低，可以提高芯片间通信速度，节距可以达到10μm及以下，是未来应用于下一代HBM产品键合的理想解决方案。
此外据韩国科学技术院（KAIST）于2025年6月发布的HBM技术路线图论文，HBM4采用直冷式液冷（D2C）技术，直接对芯片进行液体冷却。
公司方面，据上市公司互动平台表示，
太极实业：公司为SK海力士及其关联公司提供半导体后工序服务。
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