据界面新闻7月21日报道,业界消息称,SK海力士正在讨论扩大HBM3E 8层产品的生产规模,其出货量预计将超出最初预期。
这得益于近期H20的出口管制解除,为此,SK海力士计划在今年第三季度前完成面向H20的HBM3E 8层产品量产。考虑到可能出现的额外需求,该司正在评估扩大相关HBM生产规模所需的材料及零部件采购方案。
爱建证券指出,HBM作为大模型训练和推理负载下的关键存储器件,具备超高带宽(高达 819 GB/s)、极致能效比等性能优势,已经成为 AI 芯片架构的标配组件。
其表示,HBM 使用 3D 堆叠+高密度互联+热管理协同设计,其制造流程中所需关键设备:1)深硅刻蚀(形成 TSV)需高纵深比、低缺陷率、低侧壁粗糙度的等离子体干法刻蚀设备;2)多层薄化工艺后清洗去除杂余颗粒的硅片减薄与清洗设备;3)微凸点(μ-bump)制程依赖高分辨率涂胶显影、回流焊设备;4)绑定与封装检测需要高精度热压键合、X-ray 检测等设备。
国盛证券认为,随着AI加速芯片的不断更新换代,其搭载的HBM总容量、带宽等规格也持续升级,带动单机HBM容量及价值量快速攀升。根据IntelMarketResearch,2023年全球HBM市场规模约为8.6亿美元,而至2030年,预计全球HBM市场规模将达489.3亿美元,2023至2030年全球年均复合增速达68.08%。
公司方面,据民生证券表示,
1)HBM设备:精智达、华海清科、芯源微、拓荆科技、中微公司等;
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